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本发明公开了一种半导体器件及其制造方法，属于半导体技术领域。所述半导体器件包括：衬底，所述衬底包括有源区和隔离区；栅极氧化层，设置在所述衬底上；栅极结构，设置在所述栅极氧化层上，在所述栅极结构远离所述隔离区的一侧，所述有源区和所述隔离区界面...
该专利属于合肥晶合集成电路股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过合肥晶合集成电路股份有限公司授权不得商用。

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