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本发明涉及横向双极结型晶体管及其制造方法。一种横向双极结型晶体管包括发射区、基区、栅极以及集电区。基区环绕发射区。栅极被配置于至少一部分基区之上。集电区环绕基区。其中栅极之下的该部分基区不经历临界电压植入工艺。所述横向双极结型晶体管及其制造...
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