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本发明公开了一种ＮＭＯＳ场效应晶体管辅助触发的互补型ＳＣＲ结构。该结构由两个双极型晶体管构成第一可控硅，用于正电源线与需保护的芯片引脚之间的ＥＳＤ防护；由另外两个双极型晶体管构成第二可控硅，用于需保护的芯片引脚与负电源线之间的ＥＳＤ防护；利...
该专利属于浙江大学所有，仅供学习研究参考，未经过浙江大学授权不得商用。

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