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公开了半导体装置。所述半导体装置包括：有源图案，在基底上，其中，有源图案包括彼此堆叠的多个沟道层；多个源极/漏极图案，在第一方向上彼此间隔开并且布置在有源图案上，其中，所述多个源极/漏极图案通过所述多个沟道层彼此连接；以及第一栅电极和第二栅...
该专利属于三星电子株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过三星电子株式会社授权不得商用。

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