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本发明提出一种磁存储单元，包括：第一晶体管，所述第一晶体管的栅电极与位线相连；位于所述第一晶体管的沟道绝缘层和栅电极之间的磁性隧道结ＭＴＪ；和第二晶体管，所述第二晶体管的源／漏极之一与所述ＭＴＪ串行连接，其中，所述磁存储单元的写操作由所述第...
该专利属于清华大学所有，仅供学习研究参考，未经过清华大学授权不得商用。

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