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本发明公开了一种双通氧化钛纳米管阵列的制备方法，首先在电解液中通过阳极氧化在钛片上生长出氧化钛纳米管阵列，然后将电压突然升高至９０－２００Ｖ保持０．５－１０ｍｉｎ，最后取出钛片进行摆洗，获得脱离钛片基底的双通氧化钛纳米管阵列。该方法通过电压...
该专利属于北京大学所有，仅供学习研究参考，未经过北京大学授权不得商用。

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