一种双通氧化钛纳米管阵列的制备方法技术

本发明专利技术公开了一种双通氧化钛纳米管阵列的制备方法，首先在电解液中通过阳极氧化在钛片上生长出氧化钛纳米管阵列，然后将电压突然升高至９０－２００Ｖ保持０．５－１０ｍｉｎ，最后取出钛片进行摆洗，获得脱离钛片基底的双通氧化钛纳米管阵列。该方法通过电压跃迁使得氧化钛纳米管阵列与基底的脱离和氧化钛纳米管底部的打通同时实现，大大简化了双通氧化钛纳米管阵列的制备过程，且制备参数容易控制，氧化钛纳米管阵列底部打开的效果好，对促进氧化钛纳米管阵列在光电转换中的应用有着重要的意义。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种双通氧化钛纳米管阵列的制备方法，首先在电解液中通过阳极氧化在钛片上生长出氧化钛纳米管阵列，然后将电压升高至９０－２００Ｖ保持０．５－１０ｍｉｎ，最后取出钛片进行摆洗，获得脱离钛片基底的双通氧化钛纳米管阵列。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：李仕琦，张耿民，
申请(专利权)人：北京大学，
类型：发明
国别省市：11[中国|北京]