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本申请实施例公开了一种沟槽栅半导体器件及其制造方法，用于提高沟槽栅半导体的可靠性。本申请的沟槽栅半导体包括具有第一导电类型的衬底；具有第一导电类型的外延层，生长于衬底上；具有第二导电类型的阱区，形成于外延层的表层上；具有第一导电类型的源区，...
该专利属于华为数字能源技术有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过华为数字能源技术有限公司授权不得商用。

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