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一种集成电路系统包括存储器阵列，所述存储器阵列包括有包括横向间隔的存储器块的存储器单元串，所述横向间隔的存储器块个别地包括有包括交替的绝缘性阶层和导电性阶层的第一竖直堆叠。存储器单元串包括延伸穿过所述绝缘性阶层和所述导电性阶层的沟道材料串。...
该专利属于美光科技公司所有，仅供学习研究参考，未经过美光科技公司授权不得商用。

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