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一种MEMS器件及其制造方法,该方法包括:提供第一衬底和第二衬底,第二衬底的第一表面形成有第一MEMS结构和第二MEMS结构,第一衬底包括第一区域和第二区域;在第一衬底的第一表面的第一区域形成无定型硅结构;形成覆盖无定型硅结构的保护层;图案...该专利属于绍兴中芯集成电路制造股份有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过绍兴中芯集成电路制造股份有限公司授权不得商用。
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一种MEMS器件及其制造方法,该方法包括:提供第一衬底和第二衬底,第二衬底的第一表面形成有第一MEMS结构和第二MEMS结构,第一衬底包括第一区域和第二区域;在第一衬底的第一表面的第一区域形成无定型硅结构;形成覆盖无定型硅结构的保护层;图案...