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一些实施例包含一种集成组合件，其具有一对相邻存储器块区，且具有在所述相邻存储器块区之间的隔离件结构。所述存储器块区包含交替的导电层级及第一绝缘层级的第一堆叠。所述隔离件结构包含交替的第二及第三绝缘层级的第二堆叠。所述第二绝缘层级与所述导电层...
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