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一种形成微电子装置的方法包括形成堆叠结构。导柱结构经形成为竖直延伸穿过所述堆叠结构。至少一个沟槽和额外沟槽经形成为大体上竖直延伸穿过所述堆叠结构。所述额外沟槽中的每一者包括具有第一宽度的第一部分，以及在所述第一部分的水平边界处且具有大于所述...
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