温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本申请实施例公开了一种半导体器件及其制备方法，其中，所述半导体器件包括：第一导电类型的半导体衬底；多个栅极结构，位于所述第一导电类型的半导体衬底内；第二导电类型的浮空区，位于相邻两个栅极结构之间；其中，所述第一导电类型与所述第二导电类型相反...
该专利属于美垦半导体技术有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过美垦半导体技术有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。