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本发明属于半导体技术领域，公开了一种双沟槽型MOS场效应晶体管的制备方法和应用。制备方法：在半导体衬底层上形成半导体外延层；在半导体外延层上方形成阱区；在阱区上表面的中间区域形成N型重掺杂区，在阱区上表面、N型重掺杂区两侧的区域，形成P型重...
该专利属于深圳市至信微电子有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过深圳市至信微电子有限公司授权不得商用。

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