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本发明提供了一种SGT mosfet器件的制备方法，包括：形成衬底、第一外延层、第一场氧层以及第一栅极沟槽；形成屏蔽栅极以及空腔；屏蔽栅极填充于部分第一栅极沟槽中；屏蔽栅极的顶端未被填充的第一栅极沟槽形成空腔；其中，屏蔽栅极顶端是平整表面；...
该专利属于上海芯导电子科技股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海芯导电子科技股份有限公司授权不得商用。

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