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本发明提供压接式子模组及压接式IGBT模块，其中该子模组包括发射极板、一体式旁路结构、导电弹性支撑部件、导电柱和上钼板，其中，一体式旁路结构设置在发射极板与导电柱之间以形成第一通流路径，导电弹性支撑部件位于一体式旁路结构内，导电柱位于一体式...
该专利属于株洲中车时代半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过株洲中车时代半导体有限公司授权不得商用。

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