温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

一种半导体结构及其形成方法，其中，方法包括：提供衬底，所述衬底包括第一区、第二区和第三区，所述第一区、第二区和第三区表面具有第一氧化层；在所述第一氧化层表面形成掩膜材料层；对所述掩膜材料层进行第一次图形化步骤，减薄第二区和第三区的掩膜材料层...
该专利属于中芯国际集成电路制造(北京)有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造(北京)有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。