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一种半导体结构及其形成方法,所述半导体结构包括:基底,所述基底包括切割道区;位于基底上的器件层,所述器件层包括若干器件、与所述器件电连接的互连结构、以及包围所述器件和互连结构的介电层;位于器件层上的钝化层;位于切割道区上的钝化层内的对准标记...该专利属于中芯国际集成电路制造(北京)有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过中芯国际集成电路制造(北京)有限公司授权不得商用。
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一种半导体结构及其形成方法,所述半导体结构包括:基底,所述基底包括切割道区;位于基底上的器件层,所述器件层包括若干器件、与所述器件电连接的互连结构、以及包围所述器件和互连结构的介电层;位于器件层上的钝化层;位于切割道区上的钝化层内的对准标记...