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本发明提供一种大马士革结构及制备方法，通过两次反溅射工艺可仅在通孔侧壁形成阻挡层与粘附层，使得通孔中的金属铜可直接与下层金属件进行金属互联，从而可减小互联点处的电阻率减小电阻、降低热损耗；位于侧壁底区的复合结构可提高金属铜的扩散难度，且侧壁...
该专利属于盛合晶微半导体（江阴）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过盛合晶微半导体（江阴）有限公司授权不得商用。

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