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本发明公开了一种宽元素比的氮化钽薄膜制备方法，包括：选取镀膜衬底，对镀膜衬底进行NMP和纯水超声清洗，吹干，放入超高真空磁控溅射设备基片台上，准备镀膜；将金属钽靶材放置于真空室靶台上，通入氩气/氮气混合气流，调节真空室真空度，其中，所述氩气...
该专利属于南京南智先进光电集成技术研究院有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过南京南智先进光电集成技术研究院有限公司授权不得商用。

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