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本发明公开一种半导体元件以及一种半导体元件的制造方法，所述半导体元件包括基底以及栅极结构。基底具有沟槽。栅极结构设置于沟槽中，且包括遮蔽栅极、控制栅极、第一绝缘层、第二绝缘层以及第三绝缘层。遮蔽栅极包括下部栅极以及上部栅极。下部栅极包括由多...
该专利属于力晶积成电子制造股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过力晶积成电子制造股份有限公司授权不得商用。

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