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一种半导体结构及其形成方法，其中方法包括：提供衬底，所述衬底上具有2个相互分立的鳍部，所述2个鳍部沿第一方向延伸且沿第二方向排列，所述鳍部包括在衬底上重叠的若干层牺牲层、以及相邻两层牺牲层之间的水平鳍，所述2个鳍部之间具有隔离开口；在所述隔...
该专利属于中芯国际集成电路制造(北京)有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造(北京)有限公司授权不得商用。

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