温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

用于在斜面等离子体室中处理晶片的斜面边缘的方法和系统。该方法包括接收用于斜面等离子体室的RF发生器的脉冲模式设置。该方法包括识别脉冲模式的占空比，该占空比定义在由发生器输送的每个功率周期期间的接通(ON)时间和关断(OFF)时间。该方法包括...
该专利属于朗姆研究公司所有，仅供学习研究参考，未经过朗姆研究公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。