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提供了一种原子层蚀刻方法，以用于在等离子体处理室中蚀刻衬底上铜或铜合金，其包含多个循环。多个循环中的每一个循环包含铜改性阶段和活化阶段。铜改性阶段包含：使改性气体流入等离子体处理室，使改性气体转变为改性等离子体，以及将铜或铜合金暴露于改性等...
该专利属于朗姆研究公司所有，仅供学习研究参考，未经过朗姆研究公司授权不得商用。

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