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本发明实施例公开的半导体结构、半导体结构的制造方法及芯片，涉及半导体技术领域，便于高效、低成本解决天线效应违例的问题。所述半导体结构，包括：半导体衬底；第一MOS管，生长于所述有源区中，包括：源极、漏极及栅极，所述源极和漏极之间设有隔离层，...
该专利属于海光信息技术股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过海光信息技术股份有限公司授权不得商用。

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