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本公开涉及半导体器件及其制造方法。一种半导体器件包括：第一导线；第二导线，其设置在第一导线之上以与第一导线间隔开；以及选择器层，其设置在第一导线与第二导线之间并且包括电介质材料和以均匀的掺杂剂分布掺杂的掺杂剂。剂。剂。
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该专利属于爱思开海力士有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过爱思开海力士有限公司授权不得商用。

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