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本发明公开一种高电子迁移率晶体管元件及其制造方法，其中该高电子迁移率晶体管元件包括基底、沟道层、阻障层、P型氮化镓间隙壁、栅极、源极与漏极。沟道层设置在基底上。阻障层设置在沟道层上，且具有突出部。P型氮化镓间隙壁设置在突出部的侧壁上。栅极设...
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