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本发明涉及晶体管技术领域，尤其涉及一种微纳多端口离子栅介质突触晶体管及制备方法，包括氧化铟锡的导电层、非晶氧化铟镓锌金属氧化物沟道层、离子栅介质凝胶层，晶体管采用共面结构设计；其中，突触晶体管的主栅G1、G2、G3、G4为多端口信号输入端，...
该专利属于常州大学所有，仅供学习研究参考，未经过常州大学授权不得商用。

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