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本实用新型是积层芯片结构改良，提供一种印刷层数多、效能高、改善积层电感内部杂散电容的积层芯片结构改良，本实用新型是在芯片本体的陶瓷内埋入垂直的薄片状银制线圈（内电极），且该银制线圈利用二端的银电极向外导通；借此，以往容易产生的电容寄生效应、...
该专利属于钰铠科技股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过钰铠科技股份有限公司授权不得商用。

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