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本发明涉及一种屏蔽栅沟槽型晶体管的制备方法及屏蔽栅沟槽型晶体管。所述方法包括：提供半导体结构，半导体结构包括第一半导体材料层、源极沟槽、栅极沟槽、第一场介质层、源极导电层、第二场介质层、屏蔽栅和保护层；第二场介质层和屏蔽栅暴露栅极沟槽的上部...
该专利属于绍兴中芯集成电路制造股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过绍兴中芯集成电路制造股份有限公司授权不得商用。

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