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本发明提供一种具有减小电荷泄露的CMOS器件及其制备方法，涉及半导体器件制造技术领域。该具有减小电荷泄露的CMOS器件，包括P型衬底、阳极、NMOS区和PMOS区，所述阳极固定连接在P型衬底的底部，所述PMOS区上端设置有n阱区，所述n阱区...
该专利属于北京炎黄国芯科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过北京炎黄国芯科技有限公司授权不得商用。

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