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本发明涉及一种场效应晶体管，尤其是一种具有高功率优值与优异导通特性的GaN场效应晶体管。按照本发明提供的技术方案，所述具有高功率优值与优异导通特性的GaN场效应晶体管，包括GaN场效应晶体管本体，所述GaN场效应晶体管本体包括C掺杂缓冲层以...
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