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本申请涉及真空计量技术领域，具体而言，涉及一种复合式MEMS真空规及其制作方法，所示真空规包括MEMS电容薄膜真空规和MEMS皮拉尼真空规，其中：电容薄膜真空规和皮拉尼真空规设置在同一硅基底上；电容薄膜真空规包括真空参考腔和电容间隙，真空参...
该专利属于兰州空间技术物理研究所所有，仅供学习研究参考，未经过兰州空间技术物理研究所授权不得商用。

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