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本发明提供一种等离子体处理方法和等离子体处理系统。等离子体处理方法在具有腔室的等离子体处理装置中执行。该方法包括以下工序：工序(a)，将具有包括硅氧化膜和氮化硅膜的蚀刻对象膜以及在蚀刻对象膜上规定出开口的掩模膜的基板提供到腔室内的基板支承部...
该专利属于东京毅力科创株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过东京毅力科创株式会社授权不得商用。

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