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本发明公开了一种石墨烯晶体制备方法，涉及石墨烯制备技术领域。所述石墨烯晶体制备方法采用等离子体增强的化学气相沉积装置，所述气相沉积装置包括合成腔室和射频电源，该方法包括：将绝缘衬底置于所述合成腔室内，并将所述合成腔室抽至真空后，向所述合成腔...
该专利属于季华实验室所有，仅供学习研究参考，未经过季华实验室授权不得商用。

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