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本公开提供一种氮化物基半导体集成电路(IC)芯片,其包含至少一个晶体管和配置成用于将流动通过所述晶体管的反向电流旁路掉的内置式旁路二极管。所述内置式旁路二极管包含电连接到所述晶体管的漏极电极的n型掺杂区以及电连接到所述晶体管的源极电极的p型...该专利属于英诺赛科(珠海)科技有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过英诺赛科(珠海)科技有限公司授权不得商用。
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本公开提供一种氮化物基半导体集成电路(IC)芯片,其包含至少一个晶体管和配置成用于将流动通过所述晶体管的反向电流旁路掉的内置式旁路二极管。所述内置式旁路二极管包含电连接到所述晶体管的漏极电极的n型掺杂区以及电连接到所述晶体管的源极电极的p型...