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用于形成互连结构的方法技术
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文档序号:37350242
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提供了一种用于形成用于第一晶体管和第二晶体管的互连结构的方法,其中第一晶体管包括水平延伸的第一沟道部分(112),且所述第二晶体管包括水平延伸的第二沟道部分(122),并且其中所述沟道部分在基板上被堆叠在彼此上方。该方法包括:形成在第二沟道...
该专利属于IMEC非营利协会所有,仅供学习研究参考,未经过IMEC非营利协会授权不得商用。
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