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提供了一种神经形态存储器电路及其操作方法。所述神经形态存储器电路包括：多个存储器单元，并且所述多个存储器单元中的每个包括：第一开关元件，具有基于在接收到输入信号时施加到第一开关元件的两端的电压而确定的阈值开关时间，并且响应于从接收到输入信号...
该专利属于首尔大学校产学协力团所有，仅供学习研究参考，未经过首尔大学校产学协力团授权不得商用。

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