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本发明提供一种宽自由光谱范围多光谱成像芯片结构的制备方法，该制备方法包括：步骤一、将像素感光单元沿其其中一个像素方向a依次划分为多个像素区域，另一个像素方向b不做区分；步骤二、在所述多个像素区域上依次分别一体式沉积生长多个分光结构，所述分光...
该专利属于天津津航技术物理研究所所有，仅供学习研究参考，未经过天津津航技术物理研究所授权不得商用。

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