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本发明涉及一种半导体结构的制备方法，包括：提供衬底；于衬底上形成第一介电层，并于第一介电层内形成沟槽；于沟槽的底部、沟槽的侧壁以及第一介电层上形成第一功函数金属材料层；第一功函数金属材料层包括悬突结构，悬突结构位于沟槽侧壁的顶部边缘；去除位...
该专利属于合肥新晶集成电路有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过合肥新晶集成电路有限公司授权不得商用。

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