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本发明涉及具有基于自调节电容耦合的读写辅助的存储器结构，揭示一存储器结构，该存储器结构包括位于升压线(VBL)间并与其平行的字线(WL)及单元供电线(CSL)。依据需要读辅助或写辅助，VBL启动对相邻的WL及/或CSL的基于电容耦合的升压。...
该专利属于格芯（美国）集成电路科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过格芯（美国）集成电路科技有限公司授权不得商用。

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