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一种具有AlGaN/InGaN超晶格势垒层的量子阱LED及其制备方法，属于半导体发光器件技术领域。从下至上依次由衬底、成核层、n型GaN层、具有AlGaN/InGaN超晶格势垒层的多量子阱有源层、电子阻挡层和p型GaN层组成，在p型层和n型...
该专利属于吉林大学所有，仅供学习研究参考，未经过吉林大学授权不得商用。

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