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本发明提供一种半导体装置及其制备方法，在器件中加入负电容结构，实现了一种将逻辑器件与闪存结构在同一工艺平台制造的制备方法，具有设计和工艺简单，制造成本低的优点。本发明通过控制相应器件栅氧层和负电容介质层的厚度，控制嵌入式快闪存储器、逻辑核心...
该专利属于联合微电子中心有限责任公司所有，仅供学习研究参考，未经过联合微电子中心有限责任公司授权不得商用。

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