温馨提示:您尚未登录,请点 登陆 后下载,如果您还没有账户请点 注册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。
一种半导体结构及其形成方法,方法包括:提供衬底,衬底包括器件区和隔离区,器件区和隔离区的衬底上形成有凸立的鳍部;在鳍部露出的衬底顶部形成第一隔离层,第一隔离层覆盖鳍部的顶部和侧壁;在隔离区中,去除第一隔离层、鳍部和部分厚度的衬底,在隔离区的...该专利属于中芯国际集成电路制造(北京)有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过中芯国际集成电路制造(北京)有限公司授权不得商用。
温馨提示:您尚未登录,请点 登陆 后下载,如果您还没有账户请点 注册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。
一种半导体结构及其形成方法,方法包括:提供衬底,衬底包括器件区和隔离区,器件区和隔离区的衬底上形成有凸立的鳍部;在鳍部露出的衬底顶部形成第一隔离层,第一隔离层覆盖鳍部的顶部和侧壁;在隔离区中,去除第一隔离层、鳍部和部分厚度的衬底,在隔离区的...