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本发明提供了一种IGBT半导体器件及其制作方法。该IGBT半导体器件具有发射区、体接触区、体区、载流子存储层、沟槽栅区以及发射极沟槽结构。发射极沟槽结构包括填充在发射极沟槽中的发射极电介质和发射极导电材料，发射极沟槽从器件顶面垂直向下穿越体...
该专利属于晶艺半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过晶艺半导体有限公司授权不得商用。

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