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本发明提供一种光刻极限应力的确定方法及改善光刻工艺质量的方法，属于半导体制造技术领域。光刻极限应力的确定方法包括以下步骤：确定测试图案；提供多个已被执行光刻前工序的晶圆；测量各晶圆的中心到边缘的应力值；将测试图案形成于最小应力值位置和最大应...
该专利属于青岛物元技术有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过青岛物元技术有限公司授权不得商用。

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