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本发明公开了一种闪存单元阵列及其制备工艺。其中，源线沿第一方向在所述衬底中延伸分布；位线沿第二方向在衬底中延伸分布；第一方向与第二方向相交；源线的两侧分别沿第一方向设置堆叠的浮栅和控制栅，形成堆叠栅极；选择栅设置在堆叠栅极远离源线的一侧；在...
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