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本发明公开了一种多P场注入的半导体芯片的制备方法及其制备的半导体芯片，包括如下步骤：在半导体基片上形成光罩；进行P场注入，P场注入包括：使用一个独立的光罩作为掩膜，在第一有源区和场氧化区的预定位置中的P场隔离区进行P场注入，在半导体器件的第...
该专利属于深圳奥简科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过深圳奥简科技有限公司授权不得商用。

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