一种多P场注入的半导体芯片及其制备方法技术

本发明专利技术公开了一种多P场注入的半导体芯片的制备方法及其制备的半导体芯片，包括如下步骤：在半导体基片上形成光罩；进行P场注入，P场注入包括：使用一个独立的光罩作为掩膜，在第一有源区和场氧化区的预定位置中的P场隔离区进行P场注入，在半导体器件的第一有源区中形成第一P场注入区，不同半导体器件的第一P场注入区的厚度不同。本发明专利技术仅使用一种P场注入强度，使得整个P场注入过程中的均一性和稳定性更高，整个P场注入的光罩数量明显降低，对于不同的器件和器件之间的P场隔离区，不同位置的P场注入区能够同时制备，扩宽了P场注入区的使用范围和功能范围，扩大了本发明专利技术的制备方法及其器件适用场合。其器件适用场合。其器件适用场合。

【技术实现步骤摘要】
一种多P场注入的半导体芯片及其制备方法


[0001]本专利技术涉及半导体芯片领域，尤其涉及一种多P场注入的半导体芯片及其制备方法。

技术介绍

[0002]在晶圆代工过程中，需要对芯片进行各种工艺处理，而P场注入是制程工艺中常用的一种阻断隔离工艺。如专利文件1中记载，如图7所示传统P场注入只运用在P阱区，所以通常会与P阱注入共享同一张光罩，在传统P场注入只运用在P阱区，所以通常会与P阱注入共享同一张光罩，将非P阱区遮挡住，或是使用不一样的注入方式进而避免使用光罩；然而对于整个半导体芯片而言，光罩及其制备过程所占用的成本较高，虽然如专利文件2、3中记载，可以在这里少一张光罩或与其他的制程共享光罩，但是这种共享的方式并不能较好的实现减少光罩，减少的光罩数量有限，而且对于共享的要求非常高，对于场景的要求比较高。
[0003]本专利技术涉及的
技术介绍
文件如下：专利文件1：US5073509A；专利文件2：US5861338A；专利文件3：CN108447781A。

技术实现思路

[0004]本专利技术的目的在于提供一种多P场注入的本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种多P场注入的半导体芯片的制备方法，所述半导体芯片至少包括一种半导体器件，且每个所述半导体器件中包含有源区，所述半导体芯片还包括位于所述半导体器件之外的场氧化区，至少相邻的两个半导体器件之间的场氧化区下方设置有P场隔离区，所述隔离区用于在相邻半导体器件之间形成通道阻隔，其特征在于，所述制备方法包括如下步骤：S1、提供半导体基片；S2、根据芯片版图获取所述半导体基片中形成所述半导体器件的位置；S3、在每个所述半导体器件中对应的有源区中的至少第一有源区形成Si3N4层，不同所述半导体器件中的所述第一有源区对应的所述Si3N4层的厚度不同，且所述第一有源区的区域由所述Si3N4层定义；S4、在所述半导体基片上形成光罩，所述光罩包括遮挡部和开口部，所述遮挡部用于遮挡P场注入，所述开口部允许所述P场注入，所述开口部包括第一开口部，所述第一开口部与所述第一有源区以及P场隔离区对应；S5、进行P场注入，所述P场注入包括：使用一个独立的所述光罩作为掩膜，在所述第一有源区中进行P场注入，在所述半导体器件的所述第一有源区中形成第一P场注入区，不同所述半导体器件的所述第一P场注入区的厚度不同；S6、去除所述Si3N4层，并在所述Si3N4层对应的区域依次形成功能层和SiO2层；或者以所述第一P场注入区作为功能层，并在所述第一P场注入区的两端分别形成连接端；所述半导体芯片包括如下半导体器件中的至少一种：P型电阻、N型扩散致窄电阻、N型结型场效应管和耗尽型P沟道场效应管；所述步骤S1中还包括：使用步骤S5中相同的P场注入设备进行了清洗以去除表面杂质，同时在所述半导体基片的表面形成一层原子层厚度的掺杂层；所述步骤S6在去除所述Si3N4层后，还包括：使用离子蚀刻的方式去除光阻，所述离子蚀刻为形成为过刻蚀，在蚀刻完所述光阻后，继续蚀刻预定时间，所述预定时间的设置使得能够清除光阻下方对应的所述原子层厚度的掺杂层；所述Si3N4层通过原子层沉积ALD形成的致密层。2.根据权利要求1所述的一种多P场注入的半导体芯片的制备方法，其特征在于，所述半导体芯片包括如下半导体器件中的至少两种：P型电阻、N型扩散致窄电阻、N型结型场效应管和耗尽型P沟道场效应管；至少其中一个所述半导体器件包...

【专利技术属性】
技术研发人员：王克丞，
申请(专利权)人：深圳奥简科技有限公司，
类型：发明
国别省市：