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本发明公开了一种屏蔽栅MOSTET的制造方法，包括：步骤一、形成栅极沟槽，包括位于原胞区中的第一栅极沟槽以及位于终端区中的第二栅极沟槽。步骤二、形成覆盖栅极沟槽的内侧表面和沟槽外侧表面第一介质层。步骤三、形成多晶硅屏蔽栅。步骤四、在多晶硅屏...
该专利属于上海华虹宏力半导体制造有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华虹宏力半导体制造有限公司授权不得商用。

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